长期以来，全球存储芯片市场由三星电子、美光科技和 SK 海力士主导，中国厂商的市场份额不到 5%，在技术上也落后于竞争对手。随着中国厂商开始研发存储芯片，进展令人惊讶。
NAnd 闪存
2017 年，中国厂商长存科技成为全球首家量产 232 层 NAND 闪存的企业。但由于美国的打压，长存的发展受到影响，三星、美光和 SK 海力士等竞争对手也赶了上来，并开发出更先进的 232 层和 300 层 NAND 闪存。
DRAM 内存
在 DRAM 内存领域，国产企业在 2017 年左右才开始研发。目前，国产 DRAM 内存已发展到 DDR5 阶段，相当于国际厂商的第 6 代水平。近日，国产 DDR5 内存已上市，拆解发现其频率为 60
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